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标准编号：T/CASAS 046-2025
中文名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法
英文名称：Dynamic reverse bias (DRB) test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistor (SiC MOSFET)
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
标准状态：现行
标准页数：13页
内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的动态反偏(DRB)试验方法。本文件适用于SiC MOSFET分立器件和功率模块评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化评价。
T_CASAS 046-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（S.pdf
(830.63 KB)
标准文档截图：
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发表于 2026-4-2