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标准编号：T/CASAS 033-2025
中文名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法
英文名称：Switching dynamic test method for SiC MOSFET power device
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
标准状态：现行
标准页数：18页
内容简介：本文件描述了双脉冲测试条件下SiC MOSFET功率器件开关动态测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估,对于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件,可参照本文件执行。
T_CASAS 033-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(S.pdf
(1.13 MB)
标准文档截图：
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发表于 2026-4-2