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标准编号：T/CASAS 037-2027
中文名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 栅极电荷试验方法
英文名称：Gate charge test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor（SiC MOSFET）
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
标准状态：现行
标准页数：16页
内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的栅极电荷试验方法,包括:试验原理、试验电路、试验条件以及数据处理方法。本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性试验等工作场景,可用于以下试验目标器件: a) 增强型N沟道垂直SiC MOSFET分立器件晶圆级及封装级产品; b) 含增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件的功率模块。
T_CASAS 037-2027 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（S.pdf
(866.19 KB)
标准文档截图：
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发表于 2026-4-2