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标准编号：T/CASAS 045-2025
中文名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏(DGS)试验方法
英文名称：Dynamic gate stress (DGS) test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor（SiC MOSFET）
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
标准状态：现行
标准页数：12页
内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态栅偏(DGS)试验方法。本文件适用于对SiC MOSFET分立器件和功率模块评估交流栅极应力下栅氧质量。
T_CASAS 045-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（S.pdf
(874.13 KB)
标准文档截图：
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发表于 2026-4-2