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标准编号：T/CASAS 021-2025
中文名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法
英文名称：Threshold voltage test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor(SiC MOSFET)
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
标准状态：现行
标准页数：16页
内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于N沟道SiC MOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。
T_CASAS 021-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(S.pdf
(855.5 KB)
标准文档截图：
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发表于 2026-4-2