标准编号：T/CASAS 005-2025
中文名称：氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法 多脉冲硬开关法
英文名称：Dynamic on-resistance test method for GaN high electron mobility transistor(HEMT):multi-pulse hard-switching technique
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
标准状态：现行
标准页数：13页
内容简介：本文件描述了用于硬开关切换电路的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法,包括原理、测试条件、测试程序、数据记录和处理、试验报告等。本文件适用于进行GaN HEMT 的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件: a) GaN 增强型和耗尽型分立电力电子器件; b) GaN 集成功率电路; c) 以上的晶圆级及封装级产品。 T_CASAS 005-2025 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HE.pdf(776.57 KB)
发表于 2026-4-2
