|
|
标准编号：T/CASAS 043-2025
中文名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 高温反偏试验方法
英文名称：High temperature reverse bias test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
标准状态：现行
标准页数：15页
内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温反偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范围:SiC MOSFET分立功率器件,功率模块。
T_CASAS 043-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（S.pdf
(909.4 KB)
标准文档截图：
 |
|
发表于 2026-4-2