标准编号：T/CASAS 036-2025
中文名称：碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法
英文名称：Test method for purity of iso-static graphite components used in the growth of silicon carbide single crystals-Glow discharge mass spectrometry
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025-04-23
实施日期：2025-04-23
标准状态：现行
标准页数：13页
内容简介：等静压石墨是由碳骨料、沥青等原材料通过磨粉、混捏、等静压成型、焙烧、浸渍、石墨化、纯化等工艺制造而成的石墨，也称为“各向同性”石墨。等静压石墨在碳化硅单晶生长过程中应用广泛，主要用于制造碳化硅单晶生长用的热场构件，如加热器、坩埚、籽晶托等。这些构件对于单晶生长过程的稳定性和晶体质量具有重要影响，质量良好的等静压石墨热场能够有效提升晶体生长良率。碳化硅单晶生长需要在高温、高度洁净的环境中进行，任何杂质都可能对晶体生长产生不利的影响，甚至直接导致晶体质量下降或生长失败，因此等静压石墨构件的纯度是非常关键的性能指标，严格控制碳化硅单晶生长用等静压石墨的纯度是质量控制的关键。行业内通用的等静压石墨纯度测定方法有高温灼烧法和辉光放电质谱法。 T_CASAS 036-2025 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定.pdf(691.73 KB)
发表于 2025-5-12
