标准编号：T/CASAS 035-2024
中文名称：用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法
英文名称：Dynamic on-resistance test method for GaN high electron mobility transistor (HEMT) in third quadrant conduction mode
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024-09-30
实施日期：2024-09-30
标准状态：现行
标准页数：15页
内容简介：本文件可用于晶圆级和封装级器件产品测试，但应考虑器件热特性，尽量减少自热效应对测试结果带来的影响。未切割的小功率晶圆级器件相对其功率等级具有较好的散热能力，而大功率晶圆级器件和封装级器件可能在连续大电流测试过程结温明显上升，需要进行散热处理。 T_CASAS 035-2024 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶.pdf(705.7 KB)
发表于 2024-11-29
