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标准编号：T/CASAS 034-2024
中文名称：用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法
英文名称：Dynamic on-resistance test method for GaN high electron mobility transistor (HEMT) in zero-voltage-switching-on circuits
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024-09-30
实施日期：2024-09-30
标准状态：现行
标准页数：13页
内容简介：本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b) GaN集成功率电路；c) 以上的晶圆级及封装级产品。
T_CASAS 034-2024 用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移.pdf
(684.98 KB)
标准文档截图：
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发表于 2024-11-29