T/CASAS 013-2021 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法

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发表于 2021-11-4 | 显示全部楼层 |阅读模式

标准编号：T/CASAS 013-2021
中文名称：碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法
英文名称：Measuring method for testing the density of dislocation in SiC crystal Combined KOH etching and image recognition methods
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2021-11-01
实施日期：2021-12-01

TCASAS 013-2021.pdf (796.23 KB)

文档首页截图：

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

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