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标准编号:T/CASAS 052-2025
中文名称:非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法
英文名称:
发布部门:北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期:2025-05-20
实施日期:2025-05-20
标准状态:现行
标准页数:12页
内容简介:本文件描述了执行非钳位感性负载应力下氮化镓高电子迁移率晶体管在线测试方法,包括原理、测试条件、仪器设备、测试步骤、试验数据处理和试验报告。本文件适用于封装级GaN HEMT器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评价及应用评估。
T_CASAS 052-2025 非钳位感性负载开关应力下GaN HEM.pdf
(749.89 KB)
标准文档截图:
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