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标准编号：T/CASAS 027-2023
中文名称：射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
英文名称：Two—dimensional electron gas mobility of RF GaN HEMT epitaxial wafers—Non—contact Hall measurement method
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2023-06-30
实施日期：2023-07-01
标准状态：现行
标准页数：11页
内容简介：T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaN HEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaN HEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100 〖cm〗^2?(V?s)～20000 〖cm〗^2?(V?s)。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InP HEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘。
T_CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁.pdf
(759.77 KB)
标准文档截图：
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发表于 2023-8-17