标准编号：T/CASAS 032-2023
中文名称：碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
英文名称：Test method for the content of metal elements on the surface of silicon carbide wafer—Inductively coupled plasma mass spectrometry
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2023-06-19
实施日期：2023-06-19
标准状态：现行
标准页数：9页
内容简介：本文件描述了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。本文件适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、钨、金、汞等元素含量的测定，测定范围为108 cm-2～1012 cm-2。本文件适用于100 mm(4吋)～200 mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕量金属元素含量的测定。注： 碳化硅晶片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。 T_CASAS 032-2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦.pdf(669.73 KB)
发表于 2023-7-4
