T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

刘双城

标准编号：T/CASAS 016-2022
中文名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
英文名称：Transient dual test method for the measurement of the thermal resistance junction to case of silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2022-07-18
实施日期：2022-07-18
标准状态：现行
标准页数：12页
内容简介：本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法。本文件仅适用于SiC MOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压V_sd作为测试温敏参数的结壳热阻测试。
T_CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （.pdf (768.03 KB)

2022-9-9 上传

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