T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法

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发表于 2022-9-9 | 显示全部楼层 |阅读模式

标准编号：T/CASAS 015-2022
中文名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法
英文名称：Power cycling test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2022-07-18
实施日期：2022-07-18
标准状态：现行
标准页数：12页
内容简介：本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiC MOSFET分立器件的功率循环试验。

T_CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（.pdf (599.38 KB)

标准文档截图：

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

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