T/CASAS 042-2024 SiC MOSFET高温栅偏试验方法

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少尉

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发表于 2024-11-29 | 显示全部楼层 |阅读模式

标准编号：T/CASAS 042-2024
中文名称：SiC MOSFET高温栅偏试验方法
英文名称：
发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024-11-19
实施日期：2024-11-19
标准状态：现行
标准页数：15页
内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。

T_CASAS 042-2024 SiC MOSFET高温栅偏试验方法.pdf (752.9 KB)

标准文档截图：

第三代半导体产业技术创新战略联盟

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