标签: 第三代半导体产业技术创新战略联盟相关帖子 |
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T/CASAS 021-2024 SiC MOSFET阈值电压测试方法
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团体标准 | zhanglicc 2024-11-29 | 0 377 | zhanglicc 2024-11-29 22:37 |
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T/CASAS 033-2024 SiC MOSFET功率器件开关动态测试方法
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团体标准 | zhanglicc 2024-11-29 | 0 347 | zhanglicc 2024-11-29 22:37 |
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T/CASAS 037-2024 SiC MOSFET栅极电荷测试方法
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团体标准 | zhanglicc 2024-11-29 | 0 408 | zhanglicc 2024-11-29 22:38 |
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T/CASAS 042-2024 SiC MOSFET高温栅偏试验方法
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团体标准 | zhanglicc 2024-11-29 | 0 431 | zhanglicc 2024-11-29 22:38 |
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T/CASAS 043-2024 SiC MOSFET高温反偏试验方法
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团体标准 | zhanglicc 2024-11-29 | 0 408 | zhanglicc 2024-11-29 22:38 |
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T/CASAS 044-2024 SiC MOSFET高温高湿反偏试验方法
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团体标准 | zhanglicc 2024-11-29 | 0 405 | zhanglicc 2024-11-29 22:39 |
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T/CASAS 045-2024 SiC MOSFET动态栅偏试验方法
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团体标准 | zhanglicc 2024-11-29 | 0 407 | zhanglicc 2024-11-29 22:39 |
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T/CASAS 046-2024 SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法
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团体标准 | zhanglicc 2024-11-29 | 0 562 | zhanglicc 2024-11-29 22:40 |
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T/CASAS 047-2024 SiC MOSFET动态高温高湿反偏(DH3RB)试验方法
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团体标准 | zhanglicc 2024-11-29 | 0 444 | zhanglicc 2024-11-29 22:40 |
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