T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

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标准编号：T/IAWBS 003-2017
中文名称：碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
英文名称：Silicon carbide epitaxial layers—Determination of carrier concentration—Mercury probe capacitance-voltages method
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期：2017-12-20
实施日期：2017-12-31
标准状态：现行
标准页数：9页
内容简介：本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。　本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。载流子浓度测量范围为：1×1014　cm-3　～5×1017　cm-3。　本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。
T_IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容.pdf (2.84 MB)

2022-6-3 上传

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