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标准编号：T/CASAS 045-2024
中文名称：SiC MOSFET动态栅偏试验方法
英文名称：
发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024-11-19
实施日期：2024-11-19
标准状态：现行
标准页数：14页
内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）动态栅偏试验方法，包括：试验条件、测试方法、应用范围以及失效判据。本文件适用于对SiC MOSFET栅氧质量的评估，主要包括芯片、分立器件、模块。
T_CASAS 045-2024 SiC MOSFET动态栅偏试验方法.pdf
(714.5 KB)
标准文档截图：
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发表于 2024-11-29