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标准编号：T/CASAS 037-2024
中文名称：SiC MOSFET栅极电荷测试方法
英文名称：
发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024-11-19
实施日期：2024-11-19
标准状态：现行
标准页数：17页
内容简介：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的栅极电荷测试方法，包括：测试原理、测试电路、测试条件以及数据处理方法。本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性测试等工作场景，可用于以下测试目标器件：a） 增强型N沟道垂直SiC MOSFET分立器件晶圆级及封装级产品；b） 含增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件的功率模块。
T_CASAS 037-2024 SiC MOSFET栅极电荷测试方法.pdf
(750.17 KB)
标准文档截图：
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发表于 2024-11-29