|
|
标准编号：T/IAWBS 021-2024
中文名称：碳化硅晶片边缘轮廓检验方法
英文名称：Test methods for edge contour of silicon carbide wafers
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期：2024-04-01
实施日期：2024-04-09
标准状态：现行
标准页数：7页
内容简介：本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓（包含切口）的检验方法。本文件适用于检验倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓（包含切口），其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。
T_IAWBS 021-2024 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法.pdf
(473.18 KB)
标准文档截图：
 |
|
发表于 2024-5-17