T/IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法

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发表于 2022-6-3 | 显示全部楼层 |阅读模式

标准编号：T/IAWBS 002-2017
中文名称：碳化硅外延片表面缺陷测试方法
英文名称：Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期：2017-12-20
实施日期：2017-12-31
标准状态：现行
标准页数：11页
内容简介：本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。本标准适用于同质的超过（含）2微米厚的碳化硅外延层。

T_IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法.pdf (5.9 MB)

标准文档截图：

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

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