|
|
标准编号：T/IAWBS 001-2017
中文名称：碳化硅单晶
英文名称：Monocrystalline silicon carbide
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期：2017-12-20
实施日期：2017-12-31
标准状态：现行
标准页数：21页
内容简介：本标准规定了4H及6H碳化硅单晶的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。产品主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件的外延衬底。本标准规定了碳化硅晶片的拉曼光谱检测方法。本标准适用于在室温下晶向为的碳化硅晶片的[0001]方向及（0001）面的拉曼光谱检测。本标准规定了碳化硅晶片的摇摆曲线的检测方法。本标准适用于在室温下晶向为[0001]的碳化硅晶片的[0001]方向及（0001）面的摇摆曲线检测。本标准规定了熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶的位错密度的检测方法。本标准适用于碳化硅单晶片。
T_IAWBS 001-2017 碳化硅单晶.pdf
(5.91 MB)
标准文档截图：
 |
|
发表于 2022-6-3