T/SEPA 4-2022 局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术第1部分：基于SOI硅片的工艺规范

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发表于 2024-11-11 | 显示全部楼层 |阅读模式

标准编号：T/SEPA 4-2022
中文名称：局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术第1部分：基于SOI硅片的工艺规范
英文名称：MEMS fabrication technology of EFPI fiber optic ultrasonic sensor probe for partial discharge detection Part 1: process specification using the SOI wafer
发布部门：上海市电力行业协会
发布日期：2022-12-01
实施日期：2023-02-01
标准状态：现行
标准页数：18页
内容简介：本文件规定了采用MEMS技术制作局部放电EFPI光纤超声传感器探头时SOI硅片应遵循的工艺规范，包括工艺流程、工艺要求、其他要求及检验。本文件适用于电力设备局部放电EFPI超声传感器探头SOI芯片的制造和检验。

T_SEPA 4-2022 局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制.pdf (1.27 MB)

标准文档截图：

上海市电力行业协会

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