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标准编号：T/CIE 145-2022
中文名称：辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法
英文名称：Measurement method of radiation induced traps by deep level transient spectroscopy
发布部门：中国电子学会
发布日期：2022-12-31
实施日期：2023-01-31
标准状态：现行
标准页数：15页
内容简介：本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱（DLTS）测试辐射诱生缺陷的方法和程序。本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。
T_CIE 145-2022 辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法.pdf
(3.4 MB)
标准文档截图：
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发表于 2023-11-1