|
|
标准编号:T/ZJATA 0017-2023
中文名称:制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备
英文名称:
发布部门:浙江省分析测试协会
发布日期:2023-06-20
实施日期:2023-07-20
标准状态:即将实施
标准页数:17页
内容简介:本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备(以下简称碳化硅外延设备)的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm(4英寸)、150 mm(6英寸)和200 mm(8英寸)SiC 晶片的碳化硅外延设备。
T_ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法.pdf
(2.64 MB)
标准文档截图:
 |
|