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标准编号:T/CI 161-2022
中文名称:1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管(IGBT)驱动器
英文名称:1 200 V and 1 700 V Insulated grade bipolar transistor(IGBT)gate driver
发布部门:中国国际科技促进会
发布日期:2022-12-15
实施日期:2022-12-15
标准状态:现行
标准页数:16页
内容简介:本文件规定了1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动器的术语和定义、缩略语、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动器(以下简称“驱动器”)。
T_CI 161-2022 1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅.pdf
(655.55 KB)
标准文档截图:
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