T/CI 161-2022 1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器

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少尉

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发表于 2022-12-27 | 显示全部楼层 |阅读模式

标准编号：T/CI 161-2022
中文名称：1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器
英文名称：1 200 V and 1 700 V Insulated grade bipolar transistor（IGBT）gate driver
发布部门：中国国际科技促进会
发布日期：2022-12-15
实施日期：2022-12-15
标准状态：现行
标准页数：16页
内容简介：本文件规定了1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器的术语和定义、缩略语、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动器（以下简称“驱动器”）。

T_CI 161-2022 1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅.pdf (655.55 KB)

标准文档截图：

中国国际科技促进会

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