GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法

jackyun1002

标准编号：GB/T 14146-2021
中文名称：硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
英文名称：Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method
发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期：2021-05-21
实施日期：2021-12-01
标准状态：现行
替代标准：GB/T 14146-2009
标准页数：13页
内容简介：本文件规定了电容-电压法测试硅外延层载流子浓度的方法，包括汞探针电容-电压法和无接触电容-电压法。本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行，其中无接触电容-电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。
GB_T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法.pdf (4.29 MB)

2021-7-8 12:37:21 上传

点击文件名下载附件

标准文档截图：