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标准编号：GB/T 34481-2017
中文名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
英文名称：Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
发布部门：国家质检总局 国家标准委
发布日期：2017-10-14
实施日期：2018-07-01
标准状态：现行
标准页数：5页
内容简介：本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cmˇ2、直径为75 mm～150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
GB_T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的.pdf
(1.23 MB)
标准文档截图：
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发表于 2021-9-29