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标准编号：GB/T 30867-2014
中文名称：碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
英文名称：Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
发布部门：国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会
发布日期：2014-07-24
实施日期：2015-02-01
标准状态：现行
标准页数：6页
内容简介：本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。
GB_T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法.pdf
(1.27 MB)
标准文档截图：
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发表于 2021-7-25