标准编号:T/CASAS 009-2019
中文名称:半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
英文名称:Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in Semi-insulating SiC Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
发布部门:北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期:2019-11-25
实施日期:2019-11-25 TCASAS 009-2019.pdf(1.45 MB)