GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范

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标准编号：GB/T 6219-1998
中文名称：半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
英文名称：Semiconductor devices -Discrete devices Part8:Field -effect transistors Section one -Blank detail specification for single -gate field -effect transistors up to 5w and 1 GHZ
发布部门：国家质量技术监督局
发布日期：1998-11-17
实施日期：1999-06-01
标准状态：现行
替代标准：GB 6219-1986
标准页数：18页
内容简介：本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》（IEC 747-10：1984和GB/T 12560-1990《半导体器件 分立器件分规范》（IEC 747-11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。
GB_T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体.pdf (887.24 KB)

2016-12-26 15:01:10 上传

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