GB/T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

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标准编号：GB/T 6590-1998
中文名称：半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
英文名称：Blank detail specification for bi-directional triode thyristors(triacs) ambient and case-rated,up to 100A
发布部门：国家质量技术监督局
发布日期：1998-11-17
实施日期：1999-06-01
标准状态：现行
替代标准：GB 6590-1986
标准页数：14页
内容简介：本空白详细规范规定了制定100A以下（含100A）环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管（包括快速型）详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
GB_T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管.pdf (742.77 KB)

2016-12-26 上传

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