T/ZJBDT 001.3-2025 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法第3部分：相变存储芯片测试

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发表于 2025-3-4 | 显示全部楼层 |阅读模式

标准编号：T/ZJBDT 001.3-2025
中文名称：新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法第3部分：相变存储芯片测试
英文名称：
发布部门：浙江省半导体行业协会
发布日期：2025-01-10
实施日期：2025-01-10
标准状态：现行
标准页数：9页
内容简介：本文件描述了相变存储芯片存储性及可靠性测试方法的术语、测试要求、测试设备、测试条件、测试程序等。本文件适用于实现相变存储芯片的存储性及可靠性验证。

T_ZJBDT 001.3-2025 新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯.pdf (1.26 MB)

标准文档截图：

浙江省半导体行业协会

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