T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备

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发表于 2023-6-29 | 显示全部楼层 |阅读模式

标准编号：T/ZJATA 0017-2023
中文名称：制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备
英文名称：
发布部门：浙江省分析测试协会
发布日期：2023-06-20
实施日期：2023-07-20
标准状态：即将实施
标准页数：17页
内容简介：本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称碳化硅外延设备）的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm（4英寸）、150 mm（6英寸）和200 mm（8英寸）SiC 晶片的碳化硅外延设备。

T_ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法.pdf (2.64 MB)

标准文档截图：

浙江省分析测试协会

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