T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范

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标准编号：T/CASAS 022-2022
中文名称：三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
英文名称：Technical specification for gallium nitride field effect transistor used in line terminal units and triphase electricity meters
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2022-12-09
实施日期：2022-12-09
标准状态：现行
标准页数：13页
内容简介：本文件规定了应用于三相智能电表的氮化镓场效应晶体管（以下简称“GaN晶体管”）的术语和定义、符号和缩略语、技术要求、试验方法、检测规则以及包装、运输及储存。本文件适用于三相智能电表用关态源漏电压V_DS额定值为900 V、系统输出功率范围20 W- 100 W、工作频率40 kHz- 500 kHz的氮化镓场效应晶体管。小型线路终端等应用领域电源模块中的晶体管可参考使用。
T_CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技.pdf (513.12 KB)

2024-8-23 上传

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