YS/T 26-2016 硅片边缘轮廓检验方法

64 主题	0 回帖	123 积分

少尉

Rank: 2

积分: 123

发消息

发表于 2022-3-6 | 显示全部楼层 |阅读模式

标准编号：YS/T 26-2016
中文名称：硅片边缘轮廓检验方法
英文名称：Test methods for edge contour of silicon wafers
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2016-07-11
实施日期：2017-01-01
标准状态：现行
替代标准：YS/T 26-1992
标准页数：9页
内容简介：本标准规定了硅片边缘轮廓（包含切口）的检验方法。本标准适用于检验倒角硅片的边缘轮廓（包含切口），砷化镓等其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。

YS_T 26-2016 硅片边缘轮廓检验方法.pdf (2.18 MB)

标准文档截图：

下载帮助．绑定微信、验证邮箱后成为“认证会员”可以免费下载网站文件；
．微软IE浏览器下载含中文的文件时会出现乱码、无法下载等现象，建议使用Chrome、Firefox等非IE内核浏览器下载本站文件；
．当文件无法下载、无法打开或下载的文件与名称不符时，点击向我们反馈；
．站内所有文件均来自公开发布的资源或由网友上传，仅供研究学习使用，请勿用于任何商业用途；
．若无意中侵犯到您的权利，敬请发邮件到：biaozhuns#foxmail.com（#换成@），我们将及时删除相关资源。

使用道具举报

返回列表

		自动登录	找回密码
密码			立即注册