|
|
标准编号：SJ/T 2658.9-2015
中文名称：半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角
英文名称：Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode -Part 9:Spatial distribution of radiant intensity and half-intensity angle
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2015-10-10
实施日期：2016-04-01
SJT 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和.pdf
(3.32 MB)
|
|
发表于 2018-12-12